【第三代（dài）半（bàn）导体】“十（shí）四（sì）五规划（huá）”细分行（háng）业投资主线（xiàn）市场分（fèn）析
我国拟将第三代半（bàn）导体发展，放入（rù）我国"十四（sì）五"规划中，大力研（yán）究发展第三代半（bàn）导体，做到技术与生产独立，自给自足，不再受制于外部限制（zhì）。我国计划（huá）在2021到2025年的五年（nián）之内，在（zài）教育、科研、开（kāi）发、融资、应用等等各个方（fāng）面对第（dì）三代半导体发展提供（gòng）广泛支（zhī）持，并（bìng）投入（rù）约1.4万亿美（měi）元到无线网络、
人工（gōng）智能（néng）等技术领（lǐng）域。
半（bàn）导（dǎo）体指常（cháng）温（wēn）下导电性能介于（yú）导体与绝缘体之间（jiān）的（de）材料。半导体（tǐ）行业经过近六十年的发展，目前（qián）已经发（fā）展形成了三代半导体材（cái）料，第一代半导体材料主（zhǔ）要是（shì）指硅、锗（zhě）元素等单质（zhì）半导体材料；第二代半导体（tǐ）材料主要是指化（huà）合物半（bàn）导体（tǐ）材（cái）料，如砷化（huà）镓、锑化铟；第三代半导体材料以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、金刚石（shí）为四大代表，是 5G 时代的主要材料（liào）。
第三代半（bàn）导（dǎo）体材料无论（lùn）在军事领域（yù）还是（shì）民用都有广泛的用途，国家战（zhàn）略新（xīn）兴产业政策中（zhōng）多次（cì）提到以碳（tàn）化硅、氮（dàn）化镓为代（dài）表的第三代半导体器件（jiàn），写入"十四五"规划也（yě）是早有迹象（xiàng）。第三代半导（dǎo）体产业战（zhàn）略意义非凡，但国内该产业仍处起步阶段，在研发、生产（chǎn）方（fāng）面（miàn）明显（xiǎn）落（luò）后于美（měi）日欧，随着国家将（jiāng）其纳入"十四五（wǔ）"规（guī）划，政策利（lì）好必将引（yǐn）爆产业投资（zī）热（rè）潮。
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